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作為國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的行業(yè)盛會(huì)，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)于2025年4月23日在中國光谷科

2025年4月23日，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）（以下

4月23日，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)在光谷科技會(huì)展中心盛大開幕。兩院院士、行業(yè)領(lǐng)袖、企業(yè)代表、專業(yè)觀眾聚首江城共赴年度之約,超兩萬平方展覽面積近300家參展商亮相的沸騰現(xiàn)場(chǎng)證明化合物半導(dǎo)體的未來，正在中國光谷寫下最熾熱的注腳。

4月21日，路維光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，公司江蘇路芯半導(dǎo)體掩膜版項(xiàng)目一期在2025年上半年送樣90-100nm制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩膜版，2

4月23日，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE）在光谷開幕，吸引來自國內(nèi)外的近300家化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)參展，展

天津華源光電科技有限公司近日完成數(shù)千萬元天使輪融資，由韋豪創(chuàng)芯與常見投資聯(lián)合投資。本輪融資將加速核心產(chǎn)品驗(yàn)證及量產(chǎn)落地，

智匯光谷、激活未來，4月23日上午，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在光谷開幕。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)

近日，根據(jù)中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱中微公司）發(fā)布的2024年度財(cái)報(bào)顯示，該公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯已

近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ

近期，寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊(duì)在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

光谷青桐匯Ultra（化合物半導(dǎo)體專場(chǎng)）即將重磅亮相。專場(chǎng)活動(dòng)將與國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級(jí)盛會(huì)九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博

4月23-25日，武漢光谷科技會(huì)展中心2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)，30+重磅論壇活動(dòng)，200+報(bào)告嘉賓，近300家展商齊聚CS

天眼查顯示，蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7日，申請(qǐng)公

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格

一、工作站簡(jiǎn)介杭州鎵仁半導(dǎo)體博士后工作站聯(lián)合浙江大學(xué)博士后流動(dòng)站。研究團(tuán)隊(duì)由中科院院士楊德仁領(lǐng)銜，博士后研究工作由浙江大

近日，經(jīng)浙江省博士后工作辦公室批準(zhǔn)，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱鎵仁半導(dǎo)體)成功獲批設(shè)立浙江省博士后工作站，標(biāo)志著鎵仁

四月芳菲繪光谷，全球目光聚芯潮。4月23-25日，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件的專利，公開號(hào) CN 119836082 A

2025年4月15日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過由忱芯科

2025年4月15日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過由杭州飛