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2月26-28日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。浙江大學(xué)特聘研究員博士生導(dǎo)師任娜受邀將出席論壇，并帶來《基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢壘肖特基二極管及其光電特性》的主題報告，敬請關(guān)注！

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料公司透露，受到中美芯片禁令影響，迫使該公司對部分中國大陸客戶停止設(shè)備維修服務(wù)。

據(jù)長江日報消息，近日，先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項目四座生產(chǎn)廠房拔地而起，其中兩座已封頂，另兩座正加緊澆筑。據(jù)介紹，整

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。泰克科技（中國）有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨A23號展位參觀交流、洽談合作。

香港科技大學(xué)電子與計算機(jī)工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報告了多項基于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展。研究成果覆蓋功率器件技術(shù)和新型器件技術(shù).

2月26-28日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶·山城國際會議中心召開 。

據(jù)福建日報的報道，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項目基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目正在進(jìn)行中，工人們正

2月13日,青禾晶元在天津濱海高新區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園舉行了新廠房開工典禮,標(biāo)志著企業(yè)正式邁向規(guī)模化發(fā)展的新篇章。

天眼查顯示，比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質(zhì)和電子設(shè)備專利公布，申請公布日為2024年12月27

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。重慶師范大學(xué)教授李萬俊受邀將出席論壇，并帶來《超寬禁帶氧化鎵基日盲深紫外光電探測器》的主題報告，敬請關(guān)注！

軒田科技半導(dǎo)體智慧工廠、智慧產(chǎn)線及智能設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項目封頂

沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室（Advanced Semiconductor Laboratory）在超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁（AlN）肖特基勢壘二極管（SBDs）性能優(yōu)化上取得重要進(jìn)展。

近日，《南京市2025年經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展重大項目名單》正式發(fā)布，2025年南京市重大項目共500個。其中，實施項目443個，前期項目57個。

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。天通銀廈新材料有限公司副總經(jīng)理兼CTO康森將出席論壇，并帶來《大尺寸藍(lán)寶石晶圓技術(shù)進(jìn)展及其半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢》的主題報告，敬請關(guān)注！

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。山東山大華天科技集團(tuán)股份有限公司總工程師遲恩先將出席論壇，并帶來《SiC器件在電能質(zhì)量優(yōu)化與儲能一體化裝置中的應(yīng)用》的主題報告，敬請關(guān)注！

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。西安電子科技大學(xué)，華山準(zhǔn)聘副教授付裕受邀將出席論壇，并帶來《硅終端金剛石場效應(yīng)管研究進(jìn)展》的主題報告，敬請關(guān)注！

天眼查顯示，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司上電極裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利公布，申請公布日為2024年12月31日，申請公布號為CN

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所游天桂受邀將出席論壇，并帶來《基于離子束剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)的寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成材料與器件》的主題報告，敬請關(guān)注！

據(jù)最內(nèi)江公眾號消息，2月13日，四川省2025年第一季度重大項目現(xiàn)場推進(jìn)活動內(nèi)江分會場活動在晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司取得一項名為一種半導(dǎo)體激光器封裝模組的專利，授權(quán)公告號 CN 222441099 U，申