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天眼查顯示，蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司近日取得一項名為一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法的專利，授權(quán)

又見跨界收購半導(dǎo)體資產(chǎn)，這次是“一代鞋王”奧康。

12月24日，華工科技半導(dǎo)體激光裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實驗室啟動儀式在華工激光舉行。聯(lián)合實驗室是武漢市首批10家聯(lián)合實驗室之一，以半

科瑞半導(dǎo)體實施功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈倍增計劃，推進第三代半導(dǎo)體等功率器件封測產(chǎn)線的升級，于6月投資啟動實施一期項目IGBT、SiC第三代半導(dǎo)體基礎(chǔ)工藝封測產(chǎn)線建設(shè)，擴建半導(dǎo)體功率器件框架生產(chǎn)線，主要應(yīng)用于充電樁、新能源汽車等領(lǐng)域。

天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申

據(jù)港交所12月23日披露，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱為天域半導(dǎo)體)向港交所主板提交上市申請書，中信證券為獨家保薦人。

該調(diào)查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導(dǎo)體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利，公開號 CN 119153

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目將扭轉(zhuǎn)化合物半導(dǎo)體激光器外延片長期依賴進口的局面，助力下游半導(dǎo)體激光器、射頻芯片等國產(chǎn)化。

晶益通半導(dǎo)體官方消息宣布，IGBT模塊材料和封測模組產(chǎn)業(yè)園一期項目已順利封頂，項目預(yù)計將在明年4月竣工并交付使用。

新站高新區(qū)與深記設(shè)備搬運安裝有限公司舉行項目簽約儀式，進一步助力我區(qū)新型顯示、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

12月14日，由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟主辦、愛集微承辦的2025半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎典禮在上海圓滿舉行。現(xiàn)場，東方晶源微電子科技

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，萬國半導(dǎo)體國際有限合伙公司申請一項名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利，公開號 CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司申請一項名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延

在近期發(fā)表于 Science 的研究中，德國赫姆霍茲研究所Christoph J. Brabec和武建昌聯(lián)合廈門大學(xué)王露遙、卡爾斯魯厄理工學(xué)院 Pascal Friederich和韓國蔚山國立科學(xué)技術(shù)院Sang Il Seok開發(fā)了一種閉環(huán)自動化工作流程，首次實現(xiàn)了針對光電應(yīng)用的有機半導(dǎo)體逆向設(shè)計，通過大數(shù)據(jù)和機器學(xué)習(xí)識別出決定有機半導(dǎo)體光電性能的關(guān)鍵因素，并將器件性能提升至26.2%的光電轉(zhuǎn)換效率（PCE），這是該領(lǐng)域的重要突破。

12月21日，合肥新站高新區(qū)與深記設(shè)備搬運安裝有限公司舉行項目簽約儀式。該項目占地面積58畝，總投資3億元，建成后將用于半導(dǎo)體

韓國政府決定將四大先進產(chǎn)業(yè)（半導(dǎo)體、顯示器、二次電池和生物）的政策融資擴大到2025年的25.5萬億韓元（約合人民幣1285億元）。

合肥喆晶睿研半導(dǎo)體科技有限公司國產(chǎn)化制造一站式良率提升實驗室平臺項目正式開工

12月19日，由南京市玄武區(qū)人民政府、電子城高科主辦，紅山新城產(chǎn)業(yè)促進中心、電子城南京公司承辦，玻色量子、電子城集成電路服務(wù)

歐盟委員會批準了一項13億歐元的意大利補貼，以支持新加坡初創(chuàng)公司Silicon Box在諾瓦拉建造一個半導(dǎo)體先進封裝和測試設(shè)施。