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株洲中車時代半導體有限公司發(fā)生工商變更，新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司

中科飛測擬投資14.81億元用于高端半導體項目

賽微電子（SZ 300456）12月6日午間發(fā)布公告，為避免相關信息對廣大投資者造成誤導，現(xiàn)予以澄清說明。

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航，現(xiàn)誠摯邀請全球化合物半導體技術領域的專家學者、行業(yè)領航者及創(chuàng)新先鋒蒞臨盛會，發(fā)表精彩演講，共享智慧火花，攜手點亮化合物半導體行業(yè)的輝煌未來。

期間，“超寬禁帶半導體技術 I”分會上，深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報告，討論超寬帶隙半導體的研究狀況和主要問題，分享了實驗室團隊近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。

清華大學羅毅院士課題組與安徽格恩半導體有限公司合作，通過深入研究GaN同質外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應力調控以及腔面鍍膜技術，制備了高效的GaN藍光激光二極管。

“第三代半導體標準與檢測研討會”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導體標準與檢測相關的最新進展。

期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設計優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結果等內容。

荷蘭半導體企業(yè)恩智浦 NXP 與臺灣地區(qū)特殊制程代工廠商世界先進 VIS 雙方合資（股權比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動土典禮。

一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國公司泄漏20納米DRAM內存芯片技術，遭逮捕并移送檢方。

“化合物半導體激光器技術及應用”分會上，嘉賓們齊聚，共同探討化合物半導體激光器技術及應用進展與趨勢。

受外部客觀因素影響，公司合肥項目已停止推進。

功率半導體測試系統(tǒng)解決方案創(chuàng)新領導者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2億元戰(zhàn)略融資

12月3日，中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國汽車工業(yè)協(xié)會、中國通信企業(yè)協(xié)會、，中國互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會等多個行業(yè)協(xié)會發(fā)布聲明：美國芯片產(chǎn)品不再安全、不再可靠，中國相關行業(yè)將不得不謹慎采購美國芯片。

商務部新聞發(fā)言人2日表示，中方注意到，美方發(fā)布了對華半導體出口管制措施。該措施進一步加嚴對半導體制造設備、存儲芯片等物項

中國光谷國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE2025）將于2025年4月在武漢再次啟幕

加入頂流，成為頂流——化合物半導體產(chǎn)/學/研/用各大領域邀請報告征集和邀約正式啟動！

在第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇重要產(chǎn)業(yè)峰會上，眾多專家學者齊聚探討Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用最新趨勢。

“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創(chuàng)新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發(fā)體系、技術路線等。

芯航同方科技（江蘇）有限公司正式開業(yè)，標志著芯航在半導體設備行業(yè)向高端化、國產(chǎn)化方向邁出重要一步，為京口區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)注入更多發(fā)展動能。