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6月18日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由浙江大學(xué)牽頭

6月18日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由合肥工業(yè)大學(xué)

在近期日本熊本市舉辦的第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學(xué)江蘇省第三代半導(dǎo)體與高能效器件重點(diǎn)實(shí)驗室張榮和陸海教授研究團(tuán)隊入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應(yīng)研究論文，向國際同行展示了宇航級GaN功率器件研究最新成果。

美國參議院的稅收法案草案要求暫時增加對半導(dǎo)體制造商的投資抵免，加強(qiáng)對芯片制造商在美國建廠的補(bǔ)貼。

6月10日，位于重慶萬州的威科賽樂微電子股份有限公司化合物半導(dǎo)體芯片封裝模組生產(chǎn)線正式投入量產(chǎn)，成功打通了從關(guān)鍵原材料提取

隨著半導(dǎo)體器件向更小尺寸、更高性能發(fā)展，表界面原子級結(jié)構(gòu)對器件性能的影響愈發(fā)顯著。表界面缺陷不僅降低載流子遷移率、增加電

在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團(tuán)隊共有四篇論文被選為大會全體報告（Oral Session）。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團(tuán)隊共有四篇論文被選為大會全體報告（Oral Session）。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

世界半導(dǎo)體博覽會是中國半導(dǎo)體領(lǐng)域極具影響力和標(biāo)志性的行業(yè)龍頭展會，也是榮獲UFI認(rèn)證的國際品牌展會，六屆以來匯集了全球12個

在山東大學(xué)，有位“破局者”正帶領(lǐng)他的團(tuán)隊向這一卡脖子技術(shù)發(fā)起沖鋒——徐現(xiàn)剛，晶體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗室主任，山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長，二十年如一日地在微觀世界里，鍛造著中國半導(dǎo)體的未來。

基本半導(dǎo)體（中山）有限公司（以下簡稱“中山基本”）成功競得火炬高新區(qū)民眾街道深中合作區(qū)22畝地塊，這標(biāo)志著中山首個碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項目正式落戶火炬高新區(qū)。

2025年5月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體）在氧化鎵大尺寸晶體生長與襯底加工技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，基于自主

第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向，以下簡單回顧一下熱點(diǎn)走向！

據(jù)報道，日本芯片制造商瑞薩電子表示，與Wolfspeed之間持續(xù)存在的問題不會影響其在印度的OSAT（半導(dǎo)體封測）合資項目。涉及Wolfs

據(jù)飛凱材料消息，6月7日，飛凱材料子公司蘇州凱芯半導(dǎo)體材料有限公司（奠基儀式在蘇州張家港市舉行。據(jù)介紹，蘇州凱芯占地55畝，

近日，經(jīng)緯恒潤與安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱長飛先進(jìn)）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽

據(jù)荷蘭地方媒體《de Gelderlander》報道，半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦計劃關(guān)閉 4 座 8 英寸晶圓廠

來自濟(jì)南的半導(dǎo)體企業(yè)——山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的革命性突破，榮獲由日本權(quán)威半導(dǎo)體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導(dǎo)體電子材料”類金獎。這是中國企業(yè)在該獎項設(shè)立31年以來的首次問鼎

市場對高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長，這推動了功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，也要求人們更加關(guān)注先進(jìn)材料。在各種先進(jìn)

6月7日，盛美上海發(fā)布公告稱，公司于2025年6月6日收到上交所出具的《關(guān)于盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司向特定對象發(fā)行股票