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此次突破不僅體現(xiàn)了科友在碳化硅晶體生長技術(shù)與熱場設(shè)計(jì)方面的持續(xù)創(chuàng)新能力，設(shè)備自研＋工藝自主是公司在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域堅(jiān)實(shí)技術(shù)實(shí)力的重要證明。

高性能氮化鎵（GaN）金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管離不開具有低界面態(tài)和低漏電流的高質(zhì)量MOS結(jié)構(gòu)。然而，與SiO2/Si體系相比，氧

8月12日，第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議在大連落下帷幕。會議每兩年一屆，至今已成功舉辦了六屆，第七屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將由鄭州大學(xué)接棒舉辦。

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、納光電子前沿科學(xué)中

8月11日，第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議在大連開幕。

為推動(dòng)我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研交流與協(xié)同創(chuàng)新，中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料

倒計(jì)時(shí)2天｜第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議8月10-13日大連召開！

邀請函 | 納維科技邀您共赴第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議

8月10日-13日，我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)盛會——第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將在大連舉辦。華夏芯將攜最新產(chǎn)品方案亮相本次學(xué)術(shù)盛會（展位號：A18），誠邀業(yè)界同仁蒞臨會議現(xiàn)場，交流探討。

8月10日-13日，我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)盛會——第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將在大連舉辦。潤新微電子將攜最新產(chǎn)品方案亮相本次學(xué)術(shù)盛會，誠摯邀請行業(yè)專家學(xué)者、業(yè)界同仁交流與探討。

為推動(dòng)我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研交流與協(xié)同創(chuàng)新，中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料

邀請函 | 矢量集團(tuán)邀您參加第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議

北京大學(xué)在IEEE ISPSD發(fā)表2項(xiàng)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件重要技術(shù)進(jìn)展！

2025年8月10日-13日，我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)盛會——第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將在大連舉辦。

【邀請函】科利德邀您共赴第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議

由寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心主辦，InSemi Research、協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體聯(lián)合承辦，碳化硅芯觀察協(xié)辦，功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟、無錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、無錫市集成電路學(xué)會協(xié)辦的“功率器件制造測試與應(yīng)用大會(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國無錫盛大啟幕。

近日，北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、納光電子前沿科學(xué)中心唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)和北京理工大學(xué)物理學(xué)院段俊熙團(tuán)隊(duì)合作在原子級薄六方氮化硼的能帶結(jié)構(gòu)研究上取得重要進(jìn)展。

8月10日-13日，第六屆“全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議”將于大連舉辦。

西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部郝躍教授團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授聯(lián)合武漢大學(xué)何軍教授團(tuán)隊(duì)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

近日，一項(xiàng)關(guān)于范德華外延高質(zhì)量超薄氮化物半導(dǎo)體材料的研究成果發(fā)表于《Advanced Materials》，該研究由武漢大學(xué)何軍教授團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授合作完成，武漢大學(xué)文耀副研究員與西安電子科技大學(xué)寧靜教授與為論文共同第一作者，何軍教授、張進(jìn)成教授為論文共同通訊作者。