納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。?

這款針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化的輸出電壓為54V的服務(wù)器電源，符合開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）和開放機(jī)架v3（ORv3）規(guī)范，其三相交錯(cuò)PFC和LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中采用了高功率GaNSafe?氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以確保實(shí)現(xiàn)最高效率和最佳性能，同時(shí)將無源器件的數(shù)量降至最低。?

與競爭對(duì)手使用的兩相拓?fù)湎啾龋撾娫此捎玫娜嗤負(fù)浣Y(jié)構(gòu)，能為PFC和LLC帶來行業(yè)內(nèi)最低的紋波電流和EMI。此外，與最接近的競品相比，該電源的氮化鎵和碳化硅器件數(shù)量要少25%，進(jìn)而降低了整體成本。該電源的輸入電壓范圍為180至264 Vac，待機(jī)輸出電壓為12V，工作溫度范圍為-5°C至45°C，在8.5kW時(shí)的保持時(shí)間為10ms，通過擴(kuò)展器可達(dá)到20ms。

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該電源的三相LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)由高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動(dòng)，該芯片專為要求嚴(yán)苛的高功率應(yīng)用（如AI數(shù)據(jù)中心和工業(yè)市場）而設(shè)計(jì)打造。GaNSafe作為納微的第四代氮化鎵產(chǎn)品集成了控制、驅(qū)動(dòng)、傳感和關(guān)鍵保護(hù)功能，具備前所未有的可靠性和魯棒性。?

作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護(hù)（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV ESD保護(hù)、消除負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)和可編程的斜率控制。所有這些功能都可通過芯片4個(gè)引腳控制，使得封裝可以像一個(gè)離散的氮化鎵FET一樣被處理，不需要額外的VCC引腳、納微的650V GaNSafe目前提供TOLL和TOLT兩種封裝，RDS(ON)MAX范圍從25到98mΩ，可應(yīng)用于1kW 到22kW的大功率應(yīng)用場景。?

該電源的三相交錯(cuò)CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驅(qū)動(dòng)，其采用了“溝槽輔助平面”技術(shù)。該技術(shù)是GeneSiC超過20年的碳化硅行業(yè)深耕的匠心之作，可提供全球領(lǐng)先的溫度性能，具備低溫升運(yùn)行、快速開關(guān)和卓越的魯棒性的特點(diǎn)，以加速電動(dòng)汽車的充電速度或?yàn)锳I數(shù)據(jù)中心增進(jìn)3倍功率。?

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示，“納微完整的氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品組合，是納微AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖不斷發(fā)展的關(guān)鍵所在，剛剛發(fā)布的8.5kW電源正是最好的體現(xiàn)，而短期內(nèi)我們也將陸續(xù)推出12kW甚至更高功率的服務(wù)器電源。?

目前，全球大部分?jǐn)?shù)據(jù)中心都無法滿足英偉達(dá)最新Blackwell GPUs的功率需求，這暴露了整個(gè)行業(yè)生態(tài)準(zhǔn)備不足的困境，而我們?nèi)碌?.5kW電源將是解決AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心功率需求問題的關(guān)鍵秘鑰?！?