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2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。?

北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波將出席論壇，并將帶來《基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件》的大會報告。?

大失配外延技術(shù)在氮化物第三代半導體材料中的應用顯著提升外延質(zhì)量，推動材料和器件的產(chǎn)業(yè)化應用，進一步拓展其在各個領(lǐng)域的應用前景。沈波教授團隊在該領(lǐng)域有著深入的研究，比如通過大失配異質(zhì)外延技術(shù)，發(fā)明了有效提升外延質(zhì)量的圖形化藍寶石襯底新技術(shù)和外延生長新方法，制備出部分質(zhì)量指標國際領(lǐng)先的氮化物半導體外延材料等。報告將分享相關(guān)研究進展與成果，敬請期待！

嘉賓簡介

沈波

北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任

沈波，1963年7月出生于江蘇揚州市，先后在南京大學、中國科技大學和日本東北大學獲得學士、碩士和博士學位， 并在東京大學從事博士后研究。現(xiàn)為北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、教育部長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人。曾任國家973計劃項目首席科學家、863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長。現(xiàn)為國家十四五計劃 “新型顯示和戰(zhàn)略性先進電子材料” 重點專項專家組副組長兼第三代半導體方向?qū)＜医M組長，并擔任國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長，享受國務院特殊津貼。

1995年迄今一直從事GaN基第三代半導體材料、物理和器件研究，在GaN基薄膜和量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質(zhì)、 GaN基射頻和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持了20多項國家、地方和企業(yè)科研項目，發(fā)表SCI收錄論文380多篇，出版中英文專著4部，獲得/申請國家發(fā)明專利80多件，在國內(nèi)外學術(shù)會議做邀請報告30多次。先后與華為、京東方、彩虹集團、北方華創(chuàng)、廣東光大集團等開展技術(shù)合作, 部分成果實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應用。先后獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。

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