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乾晶半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

發(fā)表于:2024-11-14 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

?2024年11月18-21日,第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國(guó)際博覽中心G館舉辦。

乾晶半導(dǎo)體有限公司將亮相此次展會(huì)。誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨C02號(hào)展位參觀交流、洽談合作。深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉將出席論壇,并在“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)”上帶來“FLAB:特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的的主題報(bào)告,敬請(qǐng)關(guān)注!

公司簡(jiǎn)介

乾晶半導(dǎo)體有限公司2020年7月成立于浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心,專注于第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,是一家集半導(dǎo)體碳化硅單晶生長(zhǎng)、晶片加工和設(shè)備開發(fā)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司的核心團(tuán)隊(duì)來自于浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,與浙大科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室共同承擔(dān)SiC材料的產(chǎn)業(yè)化任務(wù),力爭(zhēng)在三到五年內(nèi)打造成為國(guó)際知名的第三代半導(dǎo)體材料品牌和標(biāo)桿企業(yè),為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供有力支撐。

IVSEMITEC CO., LTD.?was established in July 2020 at the Hangzhou International Science and Technology Innovation Center of Zhejiang University (ZJU-HIC). It focuses on the field of third-generation semiconductor materials and is a high-tech enterprise that integrates semiconductor silicon carbide single crystal growth, wafer?processing, and equipment development. The core team of the company comes from the State Key Laboratory of Silicon Materials of Zhejiang University. It has established a joint laboratory with the Advanced Semiconductor Research Institute of ZJU-HIC to jointly undertake the industrialization task of SiC materials, and strives to become an internationally well-known brand and benchmark enterprise of third-generation semiconductor materials within three to five years, providing strong support for the third-generation semiconductor industry.?

乾晶場(chǎng)景

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

6英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

6英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

直徑:(150 ± 0.2) mm

厚度:(350 ± 25) μm

導(dǎo)電類型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

微管密度:≤0.1?/cm2

位錯(cuò)密度:TSD≤100/cm2?;?BPD≤500/cm2

應(yīng)用方向:SiC?SBD 或者SiC?MOSFET

產(chǎn)品類型:拋光片(Epi-ready)

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

直徑:(200.0± 0.2) mm

厚度:(500 ± 25) μm

導(dǎo)電類型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

微管密度:≤0.2?/cm2

位錯(cuò)密度:TSD≤300/cm2?; BPD≤1000/cm2

應(yīng)用方向:SiC SBD 或者SiC MOSFET

產(chǎn)品類型:拋光片(Epi-ready)

?6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

直徑:(150 ± 0.25) mm

厚度:10~20mm

導(dǎo)電類型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

產(chǎn)品類型:晶錠

8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

直徑:(200.0± 0.2) mm

厚度:10 ~ 20 mm

導(dǎo)電類型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

產(chǎn)品類型:晶錠

參會(huì)聯(lián)系

大會(huì)日程總覽1113

注冊(cè)參會(huì)

賈在前

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