專利摘要顯示，本公開實施例提供一種半導體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體結(jié)構(gòu)，涉及半導體結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。該半導體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：形成目標待刻蝕層和第一圖案化層，目標待刻蝕層包括依次疊置的第一硅化物層、第一多晶硅層和第二硅化物層；刻蝕目標待刻蝕層，得到第二圖案化層，第二圖案化層包括多個第二圖案；形成側(cè)墻和第二多晶硅層，側(cè)墻覆蓋各第二圖案的側(cè)壁，第二多晶硅層填充在側(cè)墻之間的間隙；去除第一多晶硅層上方的膜層結(jié)構(gòu)，以及位于第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的側(cè)墻；刻蝕襯底以獲得半導體結(jié)構(gòu)。通過控制側(cè)墻的形成參數(shù)，可以控制相鄰的第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的間隙，從而可以半導體結(jié)構(gòu)的線寬進一步縮小，提高半導體結(jié)構(gòu)的器件密度。

天眼查資料顯示，上海光通信有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本2038786.497萬人民幣，實繳資本50000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，上海光通信有限公司共對外投資了7家企業(yè)，參與招投標項目46次，財產(chǎn)線索方面有商標信息12條，專利信息16條，此外企業(yè)還擁有行政許可170個。