專利摘要顯示，一種制造功率半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供半導(dǎo)體本體，其具有被絕緣材料覆蓋的豎直突出的鰭部(16)，該絕緣材料被電極材料覆蓋，其中隔離材料至少部分地覆蓋該電極材料；暴露布置在鰭部的上部上方的電極材料的一部分；去除電極材料的暴露部分，以暴露被絕緣材料覆蓋的鰭部的上部，從而形成與鰭部的暴露上部的兩側(cè)相鄰的相應(yīng)凹槽，該凹槽在空間上由絕緣材料、電極材料和隔離材料限制；通過對(duì)隔離材料的在空間上限制該凹槽的部分的邊緣進(jìn)行斜切，提供另外的絕緣材料以及隨后的去除處理步驟，在器件的暴露部分的頂部上形成層間電介質(zhì)ILD，以重新暴露鰭部的上部而隔離材料不覆蓋它；在ILD上方形成第一負(fù)載端子，其被配置為接觸鰭部的上部。