印度官方近日宣布，在印度半導體計劃（ISM）框架下，新增批準4個半導體項目，使ISM項目總數由6個增至10個。這4個項目涉及約460億盧比（約合37.77億元人民幣）投資。

其中，由SiCSem與英國Clas-SiC Wafer合作建設的印度首座商業化化合物半導體晶圓廠備受關注。該廠選址于印度奧里薩邦首府布巴內斯瓦爾的信息谷，將生產基于碳化硅（SiC）的晶圓和器件，設計年產能為6萬片晶圓和9600萬個器件。

在上述碳化硅晶圓廠附近，將同步建設一座垂直整合先進封裝技術和關鍵材料半導體級玻璃基板的生產基地。該項目由3D Glass負責，將導入帶無源器件和硅橋（Si Bridge）的玻璃中介層、3D異構集成（3DHI）模塊產能，目標年產69000片玻璃基板、13200個3DHI模塊、5000萬個組裝單元。

另外，ASIP將與韓國企業APACT合作，在安得拉邦設立一座半導體制造工廠。CDIL則將擴建其位于旁遮普邦的分立半導體制造工廠。上述4個項目預計總共可創造2034個專業技術人員崗位。