由蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司牽頭制定，遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程，經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見(jiàn)、委員會(huì)草案投票等流程，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 060—2024《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》于2025年8月29日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。

T/CASAS 060—2024《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》規(guī)定了用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。適用于在硅襯底上生長(zhǎng)的用于功率電子領(lǐng)域的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)，測(cè)試分析及質(zhì)量評(píng)價(jià)。

【本文件主要起草單位】

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司、北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司、廈門(mén)市三安集成電路有限公司、中山大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、北京大學(xué)東莞光電研究院、廣東工業(yè)大學(xué)、大連理工大學(xué)、珠海鎵未來(lái)科技有限公司、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

【本文件主要起草人】

向鵬、程凱、盧國(guó)軍、葉念慈、劉成、劉揚(yáng)、賈利芳、施宜軍、劉強(qiáng)、賀志遠(yuǎn)、黃火林、王中黨、曾凡明、康玄武、王鈺、王文平、高偉。

（來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）