近期，北京晶飛半導體科技有限公司在碳化硅晶圓加工技術領域取得重大突破，成功利用自主研發的激光剝離設備實現了12英寸碳化硅晶圓的剝離。該突破標志著中國在第三代半導體關鍵制造裝備領域邁出重要一步，為全球碳化硅產業的降本增效提供了全新解決方案。該技術此前在6/8英寸碳化硅領域已通過多家客戶驗證，設備性能達到國際先進水平。

本次技術突破對碳化硅產業發展具有多重意義，主要包括：

1.大幅降低生產成本：12英寸碳化硅晶圓相比目前主流的6英寸晶圓，可用面積提升約4倍，單位芯片成本降低30%-40%

2.提升產業供給能力：解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術瓶頸，為全球碳化硅產能擴張提供了設備保障

3.加速國產化替代進程：打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設備領域的技術壟斷，為我國半導體裝備自主可控提供了重要支撐

4.促進下游應用普及：成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領域的應用

北京晶飛半導體科技有限公司是中國科學院半導體研究所科技成果轉化企業，專注于半導體專用設備的研發、生產和銷售。公司以激光應用技術為核心，開發了系列具有自主知識產權的半導體加工設備，服務客戶覆蓋國內主要半導體制造企業。

晶飛半導體CEO表示，“我們始終堅持以技術創新推動產業進步，12寸碳化硅激光剝離技術的成功開發，不僅是公司技術實力的體現，更得益于北京市科委、中國科學院半導體研究所的大力支持，以及由京津冀國家技術創新中心組織實施的‘顛覆性技術創新’重點專項的支持。未來，我們將繼續加大研發投入，為客戶提供更多優質的半導體裝備解決方案。”

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備注：本文中所有技術數據和性能指標均經過公司內部測試驗證，具體性能可能因客戶實際使用環境而有所差異。

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