氮化鎵產(chǎn)業(yè)初步形成
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
氮化鎵應(yīng)用范圍廣泛，作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，其下游應(yīng)用切中了 “新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領(lǐng)域。此外，氮化鎵的高效電能轉(zhuǎn)換特性，能夠幫助實(shí)現(xiàn)光伏、風(fēng)電（電能生產(chǎn)），直流特高壓輸電（電能傳輸），新能源汽車、工業(yè)電源、機(jī)車牽引、消費(fèi)電源（電能使用）等領(lǐng)域的電能高效轉(zhuǎn)換，助力“碳達(dá)峰，碳中和”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)。
從產(chǎn)業(yè)發(fā)展來看，全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)規(guī)模呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。據(jù)分析機(jī)構(gòu)Yole研究顯示，在氮化鎵功率器件方面，2020年的整體市場規(guī)模為0.46億美元，受消費(fèi)類電子、電信及數(shù)據(jù)通信、電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)到2026年增長至11億美元，復(fù)合年均增長率為70%。值得一提的是，電動(dòng)汽車領(lǐng)域的年復(fù)合增長率高達(dá)185%。在氮化鎵射頻器件方面，2020年的整體市場規(guī)模為8.91億美元，預(yù)計(jì)到2026年增長至24億美元，復(fù)合年均增長率為18%。
從產(chǎn)業(yè)鏈看，國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈已基本形成，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)相對(duì)聚焦中游（如圖1），中國企業(yè)紛紛入場，主要代表企業(yè)分布在全國各地（如圖2）。
圖片來源：《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵技術(shù)洞察報(bào)告》
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中國在氮化鎵技術(shù)上起步雖晚發(fā)力強(qiáng)勁
智慧芽數(shù)據(jù)顯示，全球在氮化鎵產(chǎn)業(yè)已申請16萬多件專利，有效專利6萬多件（如圖3）。其中，保護(hù)類型以發(fā)明專利為主，行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新度比較高。報(bào)告指出，該領(lǐng)域美日技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)，中美日市場較熱。
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從技術(shù)發(fā)展的歷史演進(jìn)來看，20世紀(jì)70年代初出現(xiàn)氮化鎵相關(guān)專利申請，1994年之前尚處于探索階段，參與企業(yè)較少；1994-2005年進(jìn)入快速發(fā)展期，主要驅(qū)動(dòng)力是LED照明商用化；2010年開始，日本住友、日立等對(duì)氮化鎵襯底大尺寸的突破和進(jìn)一步產(chǎn)品化，促進(jìn)了相關(guān)專利量的進(jìn)一步快速增長；自2014年起，專利申請量總體趨于穩(wěn)步發(fā)展態(tài)勢，年專利申請量基本維持在9000件以上，在這段時(shí)期，可見光LED熱度減退，GaN基FET器件、功率/射頻器件、MicroLED等器件熱度上升。
從氮化鎵領(lǐng)域全球技術(shù)布局來看，中國、美國和日本為氮化鎵技術(shù)熱點(diǎn)布局的市場。其中，美國和日本起步較早，起步于20世紀(jì)70年代初，而中國起步雖晚，但后起發(fā)力強(qiáng)勁（如圖4）。值得注意的是，目前全球的氮化鎵技術(shù)主要來源于日本。
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國內(nèi)外龍頭企業(yè)技術(shù)洞察對(duì)比
報(bào)告顯示，全球氮化鎵主要?jiǎng)?chuàng)新主體的龍頭主要集中于日本。氮化鎵產(chǎn)業(yè)國外重點(diǎn)企業(yè)包括日本住友、美國Cree、德國英飛凌、韓國LG、三星等（如圖5），中國企業(yè)代表有，晶元光電、三安光電、臺(tái)積電、華燦光電等（如圖6）。但目前中國企業(yè)和國外企業(yè)相比，專利申請數(shù)量仍有一定差距。
圖片來源：《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵技術(shù)洞察報(bào)告》
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在這些企業(yè)中，日本住友全球率先量產(chǎn)氮化鎵襯底，是全球氮化鎵射頻器件主要供應(yīng)商，同時(shí)也是華為GaN射頻器件主要供應(yīng)商之一。住友聚焦于襯底和器件方面的研究，其中，器件方面近幾年側(cè)重于氮化鎵FET器件。該公司的氮化鎵襯底單晶生長技術(shù)側(cè)重HVPE法，重點(diǎn)解決襯底缺陷、尺寸等難題。此外，住友在氮化鎵FET器件上，側(cè)重外延工藝和芯片工藝突破。
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美國Cree依靠其技術(shù)儲(chǔ)備支撐氮化鎵功率器件的市場化。2019年，Cree逐步剝離LED業(yè)務(wù)，專注于碳化硅電力電子器件和用于GaN射頻器件，并于2021年正式更名為Wolfspeed（原Cree旗下的功率&射頻部門）。在技術(shù)分布上，發(fā)光二極管LED和GaN基FET器件兩大方向是Cree重要的專利布局領(lǐng)域。其中，前者的研發(fā)熱度在近幾年明顯衰退，而Cree在后者的細(xì)分領(lǐng)域中則探索了較多的技術(shù)難題，注重器件多性能發(fā)展。
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德國英飛凌持續(xù)深耕功率器件領(lǐng)域，且重點(diǎn)關(guān)注美國市場。其前身作為西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，英飛凌主要生產(chǎn)IGBT、功率MOSFET、HEMT、DC-DC轉(zhuǎn)換器、柵極驅(qū)動(dòng)IC、AC-DC電源轉(zhuǎn)換器等功率半導(dǎo)體器件，曾連續(xù)10年居全球功率半導(dǎo)體市場之首。在氮化鎵領(lǐng)域，英飛凌的技術(shù)分布于集中產(chǎn)業(yè)鏈中游——器件模組，持續(xù)關(guān)注GaN基FET、IGBT等功率元器件，以及由多個(gè)功率元器件集成的功率模塊（如電源轉(zhuǎn)換器）的研發(fā)。總體而言，英飛凌在功率模塊、GaN基FET器件上布局的專利最多。
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國內(nèi)LED龍頭“三安光電”在氮化鎵領(lǐng)域有一定技術(shù)儲(chǔ)備。三安光電是目前國內(nèi)規(guī)模最大的LED外延片、芯片企業(yè)。2014年，該公司投資建設(shè)氮化鎵高功率半導(dǎo)體項(xiàng)目；2018年，在福建泉州斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器等產(chǎn)業(yè)。在氮化鎵領(lǐng)域，三安光電同樣集中于產(chǎn)業(yè)鏈中游——器件模組的研究。其布局的器件類型主要包括可見光LED、紫外LED、Micro/Mini LED和GaN基FET。2016年后，三安光電對(duì)可見光LED的專利申請量逐漸下降，并開始增加對(duì)Micro/Mini LED、GaN基FET的專利申請。
圖片來源：《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵技術(shù)洞察報(bào)告》