?近日，央視《焦點(diǎn)訪談》欄目播發(fā)專題報(bào)道《強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合? 補(bǔ)短“鍛”長》，聚焦工信部新批復(fù)的國家石墨烯創(chuàng)新中心、國家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心和國家超高清視頻創(chuàng)新中心三大國家級創(chuàng)新中心。晶能光電作為國家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心的組建單位之一，接受了央視采訪。

晶能光電是知名全產(chǎn)業(yè)鏈IDM半導(dǎo)體光電器件提供商和創(chuàng)新者。作為國家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心入局者，晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù)，承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)，為虛擬現(xiàn)實(shí)硬件——AR眼鏡提供高性能的Micro LED光源產(chǎn)品，助力超小輕薄AR眼鏡面市。

晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB?Micro?LED陣列（圖片來源：晶能光電）

Micro LED是新一代顯示技術(shù)，比現(xiàn)有的OLED技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、功耗更低。近幾年來，晶能光電重點(diǎn)在Mini/Micro LED、傳感類器件和GaN功率器件等高端領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)與戰(zhàn)略布局。2021年9月，晶能光電于全球第二、國內(nèi)首家發(fā)布了像素點(diǎn)間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED陣列。目前，像素點(diǎn)間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已進(jìn)一步縮至8微米，處于該領(lǐng)域前沿水平。預(yù)計(jì)帶驅(qū)動的三基色Micro LED顯示模組將于今年晚些時(shí)候發(fā)布。Micro LED技術(shù)及成本優(yōu)勢的放大，有望加速其在大屏、近眼顯示、車載等領(lǐng)域的大規(guī)模商用。

國家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心落戶南昌，是中國虛擬現(xiàn)實(shí)領(lǐng)域唯一的國家級創(chuàng)新中心。