?自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。碳化硅是最接近大規(guī)模商業(yè)化的第三代半導體材料,SiC器件正廣泛應用于電力電子領域中，作為制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。國內(nèi)外紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展布局，各地碳化硅項目漸次落，“枝繁葉茂”的同時，也給業(yè)界帶來如何避免過度分散以及更好規(guī)模化發(fā)展的思考。

2023年5月5日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發(fā)展論壇”于長沙開幕。論壇在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下，由極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團第四十八研究所聯(lián)合組織。

開幕大會上，泰科天潤董事長陳彤帶來大會報告，圍繞當前碳化硅項目到底要建多大線的問題，分析碳化硅行業(yè)規(guī)模化發(fā)展的謎題與難題。

功率半導體器件是進行電能（功率）處理的核心器件，通過對弱電的運用和驅(qū)動，實現(xiàn)對強電的控制和運行，是各種電力電源裝置的CPU，是決定后端性能的制高點。功率半導體是從最底層材料開始的一次覆蓋全鏈條的產(chǎn)業(yè)技術革新。半導體制造業(yè)具有超大規(guī)模制造，重資產(chǎn)、周期長，運營成本高、風險大、協(xié)同要求極強，高度專業(yè)、集中、企業(yè)資產(chǎn)殘值低等基本特點，競爭挑戰(zhàn)高。

當前國內(nèi)不少碳化硅項目具有投資規(guī)模大，布局產(chǎn)能規(guī)模大，新進企業(yè)多，區(qū)域分布散等特點，不過，布局投資的規(guī)模不等于實際具備的生產(chǎn)能力，需要更重視有效產(chǎn)能。當前，國產(chǎn)碳化硅發(fā)展的瓶頸問題，主要涉及供給側問題（生產(chǎn)工藝、有效產(chǎn)能）等，同時也存在產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)工藝基礎薄弱，設備交付周期長、供不應求，人才培養(yǎng)周期長，襯底材料有效供應不足的考驗。碳化硅規(guī)模化發(fā)展需要低成本、高質(zhì)量以及大批量的供貨能力。

陳彤表示，碳化硅產(chǎn)業(yè)總體是個慢而艱熬的產(chǎn)業(yè)，但是正是因為慢才有國產(chǎn)的機會。國產(chǎn)化的有效產(chǎn)出突破百萬片/年，單體項目突破10萬片/年，需要相當一段時間的突破和積累。國產(chǎn)化碳化硅晶圓制造項目布局，在月產(chǎn)1萬片的布局為穩(wěn)妥，做好長期技術積累的準備。碳化硅國產(chǎn)化發(fā)展最大的優(yōu)勢是中國的內(nèi)卷能力，與硅器件的PK是現(xiàn)實要求。”用夠拼的行動和夠忍的耐力，做到硅器件2倍左右的價錢，國產(chǎn)化才能真正突破百萬片大關。盡快把不成熟，做成熟，跟上國外發(fā)展的腳步就是勝利。“

嘉賓簡介

陳彤，泰科天潤董事長，中關村高端領軍人才，科技部第三代半導體專家組成員。深耕碳化硅領域數(shù)余載，帶領團隊在第三代半導體碳化硅（SiC）功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、量產(chǎn)及產(chǎn)品應用方面取得顯著成果。陳彤博士帶領團隊建成國內(nèi)第一條碳化硅（SiC）功率器件研發(fā)和量產(chǎn)生產(chǎn)線，并成功實現(xiàn)碳化硅（SiC）公司針對新能源、電動汽車、通訊信息產(chǎn)業(yè)，提供各類型碳化硅核心器件、及多套行業(yè)解決方案。

陳彤博士率領的團隊2013年開始全面投入碳化硅產(chǎn)業(yè)，依托當時國內(nèi)唯一的量產(chǎn)型高溫離子注機等成套設備平臺，以及產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗豐富的技術團隊，通過多年的市場化鑄造，掌握了碳化硅功率器件的設計、關鍵工藝和制造品控全套技術，公司榮獲半導體協(xié)會創(chuàng)新產(chǎn)品、中國芯等系列大獎榮譽，得到半導體行業(yè)內(nèi)的一致首肯。公司已建設成為一個擁有自主SBD、MOSFET等SiC器件核心芯片技術、滿足國內(nèi)外用戶的高端需求，引領我國SiC器件制造的研發(fā)和生產(chǎn)企業(yè)。