近年來，全球極端氣候事件頻發，對人類造成深遠影響。通過碳減排，共同應對全球性自然災害和極端天氣頻發等環境問題并實現碳中和，已成全球共識，并向全球行動推進。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體材料具有等特性，是推動新能源汽車、智能電網、先進制造、移動通信、新型顯示等產業創新發展的新引擎，具有能源效率和環保優勢，也支撐國家“雙碳”目標的實現和數字化、網絡化、智能化融合發展需求。

5月28日，2023中關村論壇北京（國際）第三代半導體創新發展論壇在中關村國家自主創新示范區展示中心舉辦。本次論壇由科學技術部、工業和信息化部、北京市人民政府主辦，北京市科學技術委員會、中關村科技園區管理委員會，北京市經濟和信息化局，北京市順義區人民政府，北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同承辦，得到了國際半導體照明聯盟、國際信息顯示學會、亞歐第三代半導體科技創新合作中心的大力支持。論壇立足“雙碳”目標下第三代半導體產業的新形勢、新機遇，圍繞第三代半導體技術發展現狀、趨勢展望及對能源、交通、信息等領域高質量發展的支撐作用等展開交流，進一步構建開放創新平臺，共建全球產業鏈生態圈，助力北京國際科技創新中心建設。

論壇主題報告環節，博世汽車電子事業部中國區總裁Georges ANDARY分享了汽車功率半導體在減少碳排放方面的貢獻，報告中討論了全球和中國半導體市場的最新主要發展，并介紹碳化硅的主要產品特性、優勢，以及碳化硅應用對減少碳排放的貢獻。

報告指出，當前，技術及材料持續創新、大規模晶圓廠建設投資增長、科技行業巨頭開始自主研發芯片、應用市場持續增長、初創公司對老牌企業造成壓力等趨勢影響著全球半導體市場發展。短期供需不匹配，經濟和地緣政治挑戰，自然災害、大流行病和勞動力短缺，原材料價格上漲，更嚴峻的可持續性要求等因素影響著強勁的半導體應用增勢。

節能減碳的背景下，世界各國加快以新能源為主的能源結構轉型調整，構建綠色低碳安全高效的新型能源供應體系。巴黎協議2020已有超過200個國家簽署，很多國家和汽車制造商已經宣布了減少碳排放的計劃，為實現碳中和全球共同目標而努力。

當前，新能源汽車市場勢頭強勁，是減少碳排的重要力量。中國新能源汽車發展迅速，市場增長致使碳化硅需求增加。碳化硅在新能源汽車中具有巨大優勢，對于支持新能源汽車的發展趨勢（比如: 800V系統，超快充電和更長的行駛里程）意義重大。用于400V系統，碳化硅比硅基IGBT多出5%的駕駛里程。用于800V系統，碳化硅比硅基IGBT多出12%的駕駛里程。碳化硅成為綠色出行發展的關鍵助推器。

作為全球領先的汽車電子和包括碳化硅在內的半導體供應商，博世為應對SiC半導體不斷增長的需求做好準備，并積極為現代交通、智能生活和實現全球碳中和目標做出貢獻2019年，博世宣布碳中和目標。2020年，博世在全球范圍內實現碳中和。到2030年，將基于能源效率提高節約1.7太瓦時能源，博世工廠的內部可再生能源發電量為0.4太瓦時，實現100%的綠色電力。

資料顯示，博世是一家覆蓋整個供應鏈的IDM公司，開發用于汽車和消費電子的電子關鍵部件。博世在半導體領域深耕了60多年，在過去的50年內，博世位于羅伊特林根的半導體工廠一直在生產基于150毫米和200毫米晶圓的芯片。在德累斯頓工廠，自2021年起生產基于300毫米晶圓的芯片。羅伊特林根和德累斯頓生產的半導體包括了專用集成電路（ASICs）、微機電系統（MEMS）傳感器以及功率半導體。此外，博世也在馬來西亞檳城新建半導體測試中心，并將于2023年投入使用，用于半導體芯片和傳感器的測試。其持續投資擴大其在德國德累斯頓和羅伊特林根的晶圓廠以及在中國蘇州及馬來西亞檳城的半導體業務。到2030年，博世在芯片業務上投資將逾30億歐元。

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