?2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇為期4天，由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
27日，“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術分會”如期召開，本屆分會由三安光電股份有限公司、納微朗科技（深圳）有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、深圳市大族半導體裝備科技有限公司的協辦支持。
分會上，廈門大學微電子學院副教授吳挺竹帶來了“基于GAN的元技術和EV的技術的最新進展”的主題報告。由于多功能性和可調諧性，微發光二極管（μLED）被認為是下一代顯示技術的組成部分，能夠滿足復雜設備的需求。其在低電流密度（≤100A/cm2）下的發光效率和波長穩定性將決定全色微型顯示器的性能，而半極性微型LED與側壁鈍化技術的結合可以提高發光效率和顏色穩定性。顏色轉換技術是實現全色顯示的典型方法，應用噴墨打印技術、量子點光刻膠技術和無機薄膜顏色轉換等方案來實現微型LED全色顯示。
此外，還可以通過使用RC LED的改進的散射角來增加像素密度。除了用于全彩顯示器外，高效、高帶寬的InGaN紅色微型LED在可見光通信中也具有良好的應用前景，實現了高速數據傳輸。我們提出了一種通過結合超晶格結構、原子層沉積鈍化和分布式布拉格反射器制造的高效InGaN紅色微LED，其表現出5.02%的最大外量子效率和對應于112A/cm2的注入電流密度的低效率下降。InGaN中的快速載流子動力學通過使用時間分辨光致發光來表征，該光致發光與25μm大小的微型LED陣列在2000 a/cm2的高注入電流密度下以350 Mbit/s的數據傳輸速率實現的271MHz的高調制帶寬相關。它在全色微型顯示器以及基于單片InGaN微型LED技術的高速可見光通信應用方面具有巨大的前景。
（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>