未來顯示產品形態(tài)多樣，功能要求嚴格，具有高度集成潛力的Mini/Micro LED顯示技術“脫穎而出”。MicroLED可用作光電探測器來接收外部信號，高帶寬MicroLED發(fā)射器也可以通過顯示器并行地將信息傳輸給消費者。

近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）的“Mini/Micro-LED技術產業(yè)應用論壇”上，京東方顯示與傳感器件研究院高級專家曹占鋒帶來了“玻璃基MLED顯示技術進展與挑戰(zhàn)”的主題報告，分享了MLED顯示技術發(fā)展趨勢、BOE玻璃基MLED進展、BOE玻璃基MLED關鍵技術、MLED顯示挑戰(zhàn)及對策等內容。

Mini LED背光自2020年上市以來發(fā)展迅速，搭配LCD實現(xiàn)高亮度、高對比度，能夠大幅度提升LCD產品性能。Mini LED直顯當前聚焦大尺寸商顯領域，引領小間距LED市場Pitch進一步下探，未來隨Micro成長將逐步滲透近眼顯示、穿戴、TV、車載等產品。

Mini-LED背光預測2024~2025年會快速增長，未來4年內出貨仍舊以TV為主，預估到27年TV占比將達到77%。TV市場Mini-LED 增長速度會超過OLED（年復合增長率41.8% VS 6%）。Mini-LED 背光產品與普通LCD產品價格差異會逐步減小，有助于Mini-LED背光產品出貨量提升。商顯領域，Mini-LED直顯在未來3年國內和海外都將高速增長；COB和COG的市場份額會逐步增加，預測2026年將分別達成25%和11%。消費領域，在頭部客戶的牽引下，直顯Pitch繼續(xù)下探，將逐步滲透120”~75”旗艦TV產品。

Mini/Micro LED事業(yè)作為BOE “1+4+N+生態(tài)鏈”重要組成部分，支撐BOE物聯(lián)網轉型。隨市場的發(fā)展及技術迭代，未來顯示將會追求：更大信息量、更高畫質、更長觀看時間、更好客戶感受等，玻璃基MLED顯示有Real HDR，健康護眼及無界沉浸三大優(yōu)勢，完美匹配市場及客戶訴求。

BOE玻璃基MLED技術具有高效轉移工藝、AM驅動電路、背板設計、光學結構開發(fā)、功耗降低、發(fā)光芯片性能等特點。玻璃基半導體厚Cu技術采用玻璃基半導體厚銅工藝，可輕松實現(xiàn)1000nit以上亮度，相比于傳統(tǒng)鋁工藝，亮度提升1.5倍以上；若達到1000nit的相同亮度，鋁工藝mask數將增加一倍以上。主動式AM驅動技術，AM驅動，無需掃描，不存在掃描閃爍的現(xiàn)象；單點亮度一幀內保持常亮。PM驅動，通過高頻率、高亮度掃描對行顯示內容視覺暫留形成畫面，存在高頻閃爍現(xiàn)象，長時間觀看會引起眼睛疲勞及眩暈感。通過側邊工藝，將正面布線連接到背面，是實現(xiàn)零邊框顯示的必要條件。先進的側邊布線工藝，可實現(xiàn)65μm線距，且通過了1000小時RA測試，具備超低阻抗。

當前，MLED 顯示仍面臨諸多挑戰(zhàn)。Micro LED未來將憑借高亮度、高信賴性等性能優(yōu)勢將在車用顯示、智能穿戴、AR顯示、商業(yè)顯示等領域實現(xiàn)應用，成本競爭力和工藝成熟度仍然是Micro LED的短板。微型化LED芯片性能面臨著小電流下發(fā)光效率有待提升、芯片尺寸下降EQE下降、溫度提升R效率下降及外延片均勻性提升等待解決問題。Micro LED顯示在低灰階下亮度均勻性差、功耗較大，需要針對LED特性來設計優(yōu)化。鍵合技術目前以金屬共晶技術居多，關鍵點為芯片和BP pad膜層結構設計、大面積化鍵合設備、可修復性等。現(xiàn)有無縫拼接技術以side wiring技術為主，可應對到Pitch0.3~0.4mm，Pitch0.3mm以下需要現(xiàn)有技術升級或TGV技術。全彩化顯示目前以RGB為主路線，QD色轉換隨受制于材料性能及成本，但未來在硅基等應用中結合垂直LED有較大潛力。

報告指出，與OLED和LCD相比，Micro LED顯示具有高亮度、高對比度、高PPI、低功耗和長壽命等優(yōu)勢；BOE將首先聚焦在智能手表、車用顯示，商顯及TV等Micro LED應用領域，并將擴展到更多消費電子產品場景。

（備注：以上信息僅根據現(xiàn)場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）