半導體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，氧化鎵（Ga₂O₃）是潛力新星超寬帶隙材料，Ga₂O₃是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也是高靈敏、高響應日盲紫外探測器的優(yōu)選材料。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間“超寬禁帶半導體技術(shù)技術(shù)“分會上，廈門大學徐翔宇帶來了“氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)”的主題報告，分享了高性能Ga₂O₃光電探測器的性能調(diào)控研究，Al/In合金化薄膜的光電調(diào)控和電子結(jié)構(gòu)研究、垂直肖特基單晶Ga₂O₃光電探測器的研究進展。

報告指出，高性能Ga₂O₃光電探測器，運用電子封裝技術(shù)，實現(xiàn)與物聯(lián)網(wǎng)模塊的可視集成化，完成氧化鎵光電探測器對電弧信號、日盲LED等光源的遠距離實時監(jiān)控！為未來工業(yè)智能化管理提供解決方案。垂直肖特基單晶Ga₂O₃光電探測器方面，MSM結(jié)構(gòu)探測器響應度高，但短板在于響應速度較慢。提升器件響應速度策略：構(gòu)建內(nèi)建電場，高效分離，加速漂移。高質(zhì)量單晶保證載流子遷移率，極低的表面粗糙度確保盡可能低的表面缺陷態(tài)；通過大功函金屬構(gòu)建肖特基接觸，建立內(nèi)建電場；選用超薄、半透明金屬層保證有效光照面積和最大化利用耗盡層進行光電轉(zhuǎn)換；

研究通過對外延薄膜后退火處理，獲得高響應度、高探測率的日盲紫外光電探測器，實現(xiàn)對實際日盲信號的靈敏響應。解釋了器件性能的大幅改善，是受到了由退火引起的缺陷以及表面狀態(tài)變化的共同影響。通過對Ga₂O₃進行Al/In合金化，實現(xiàn)了大范圍的帶隙調(diào)控，制備出了能夠響應全日盲波段的紫外光電探測器，并解釋了合金組分的引入對能帶結(jié)構(gòu)的影響。依靠高質(zhì)量單晶制備了半透明Pt/Ga2O3垂直結(jié)構(gòu)肖特基光電二極管，該器件具有良好光電特性，通過調(diào)節(jié)界面耗盡層結(jié)區(qū)深度，成功實現(xiàn)無持續(xù)光電導的響應速度。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）