據國家知識產權局公告，清華大學申請一項名為“半導體裝置的制備方法、半導體裝置和電子設備“，公開號CN117766402A，申請日期為2023年12月。專利摘要顯示，一種半導體裝置的制備方法、半導體裝置和電子設備。該半導體裝置的制備方法包括：在襯底上制備晶體管，其中，晶體管的半導體層包括銦基氧化物；通過物理氣相沉積工藝在晶體管遠離襯底一側形成覆蓋晶體管的鈍化保護層；在鈍化保護層遠離襯底一側形成鈍化層。該半導體裝置的制備方法可以提高半導體裝置的性能和穩(wěn)定性。