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納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術，經過嚴格

一、工作站簡介杭州鎵仁半導體博士后工作站聯合浙江大學博士后流動站。研究團隊由中科院院士楊德仁領銜，博士后研究工作由浙江大

近日，經浙江省博士后工作辦公室批準，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱鎵仁半導體)成功獲批設立浙江省博士后工作站，標志著鎵仁

九峰山實驗室（JFS Lab）向各科研機構提供氧化鎵”Coupon to wafer”流片研發平臺，同時提供多種科研級功率器件封裝單管。

四月芳菲繪光谷，全球目光聚芯潮。4月23-25日，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產業博覽會(CSE)將在武漢光谷科技會展中心盛

國家知識產權局信息顯示，蘇州晶湛半導體有限公司申請一項名為一種發光器件的制備方法及發光器件的專利，公開號 CN 119836082 A

近日，致瞻科技與歐洲行業頭部企業正式簽署長期保障供貨協議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術和液冷超充系統集成能力，成為該客

4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱瑞薩電子）達成戰略協議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si

2025年4月15日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過由忱芯科

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2025年4月17日，捷捷微電披露接待調研公告，公司于4月16日接待博時基金、東北電子、東方基金、國聯基金管理、國信證券等48家機構

4月18日，國新辦召開新聞發布會，介紹2025年一季度工業和信息化發展情況。記者從會上獲悉，今年一季度，作為新質生產力的重要組

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導率高、抗輻射能力強等優異性能，在藍綠激

總投資5100余萬元建成后可助力龍游的半導體企業輕裝上陣。近日，芯盟高等級功率半導體廠房竣工驗收。4月9日上午，在芯盟高等級功

近期，全國建設項目環境信息公示平臺發布了河北同光科技發展有限公司年產7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環境保護驗收公示。該項目

天眼查顯示，湖南三安半導體有限責任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申

納微半導體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過AEC-Q100和AEC-Q101兩項車規認證，這標志著氮化鎵技術在電動汽車市

據中建一局建設發展公司官微消息，近日，中建一局建設發展公司中標日月新半導體（廣州）有限公司新建項目一期土建及一般機電包工

2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產業博覽會(CSE)將在武漢光谷科技會展中心盛大啟幕。作為其中的重頭戲