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2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航，現誠摯邀請全球化合物半導體技術領域的專家學者、行業領航者及創新先鋒蒞臨盛會，發表精彩演講，共享智慧火花，攜手點亮化合物半導體行業的輝煌未來。

從2022年初至今，培育鉆石毛坯價格累計跌幅高達85%。

期間，“超寬禁帶半導體技術 I”分會上，深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報告，討論超寬帶隙半導體的研究狀況和主要問題，分享了實驗室團隊近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。

在來自全球的4000家企業已注冊參展的檔口，出了“幺蛾子”，大量中國企業人員簽證申請被拒

清華大學羅毅院士課題組與安徽格恩半導體有限公司合作，通過深入研究GaN同質外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應力調控以及腔面鍍膜技術，制備了高效的GaN藍光激光二極管。

邦德激光全球總部基地智能工廠正式啟用

“第三代半導體標準與檢測研討會”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導體標準與檢測相關的最新進展。

維信諾（Visionox）可能會在明年上半年某個時候訂購其第8代OLED廠使用的設備。

12月2日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱：賽微電子）在投資者互動平臺表示，受外部客觀因素影響，擬在合肥高新區投資建設12吋M

北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心王新強教授與北京大學電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。

南方科技大學電子與電氣工程系講席教授、納米科學與應用研究院執行院長孫小衛因其在光電材料和器件領域的貢獻當選為IEEE Fellow。

期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設計優化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結果等內容。

荷蘭半導體企業恩智浦 NXP 與臺灣地區特殊制程代工廠商世界先進 VIS 雙方合資（股權比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動土典禮。

何梁何利基金2024年度科學與技術獎評選結果揭曉。

本研究提出了一種能夠減輕高功率激光加工中熱漂移問題的 4H-SiC 超透鏡。

一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國公司泄漏20納米DRAM內存芯片技術，遭逮捕并移送檢方。

3天內，學校連發2篇Nature和1篇Science。

“化合物半導體激光器技術及應用”分會上，嘉賓們齊聚，共同探討化合物半導體激光器技術及應用進展與趨勢。

受外部客觀因素影響，公司合肥項目已停止推進。

中國商務部：加強兩用物項出口管制 禁止鎵、鍺、銻等對美出口