5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。期間,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。值此,誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。
5月22-24日,“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。期間,深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會(huì)。值此,誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。
詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)5月22-24日南京見(jiàn)!
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會(huì)議,并帶來(lái)《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究》的主題報(bào)告,將分享最新研究進(jìn)展,敬請(qǐng)關(guān)注!
5月22-24日,2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)將于南京舉辦。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授楊樹將受邀出席會(huì)議,并帶來(lái)《高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究》的主題報(bào)告,將分享最新研究進(jìn)展,敬請(qǐng)關(guān)注!
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇,并帶來(lái)《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》的大會(huì)報(bào)告,
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測(cè)試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇,并帶來(lái)《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究》的大會(huì)報(bào)告,分享最新研究成果,敬請(qǐng)關(guān)注!
揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開工。
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。屆時(shí),中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇,并帶來(lái)《寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)》的主題報(bào)。報(bào)告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析,分享最新研究成果,敬請(qǐng)關(guān)注!
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。屆時(shí),西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部/教授、芯豐澤半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋慶文將受邀出席論壇,并帶來(lái)《高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展》的主題報(bào)告,報(bào)告將介紹包括高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進(jìn)展,討論高性能SiC功率器件關(guān)鍵性能提升和可靠性等方面熱點(diǎn)問(wèn)題,敬請(qǐng)關(guān)注!
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。屆時(shí),西安電子科技大學(xué)教授趙勝雷將受邀出席論壇,并帶來(lái)《GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討》的主題報(bào)告,分享最新研究成果,敬請(qǐng)關(guān)注!
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。江南大學(xué)教授/博導(dǎo)黃偉將受邀出席論壇,并帶來(lái)《高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究》的主題報(bào)告,將聚焦宇航電子領(lǐng)域?qū)Ω呖煽抗β势骷钠惹行枨螅窒硐嚓P(guān)最新研究成果,敬請(qǐng)關(guān)注!
最新報(bào)告嘉賓公布!2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD2025)
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。屆時(shí),廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)將受邀出席論壇,并分享《功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)》的主題報(bào)告。
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。屆時(shí),通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負(fù)責(zé)人邢衛(wèi)兵受邀將出席論壇,并分享《新能源時(shí)代半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)與趨勢(shì)》的主題報(bào)告,將圍繞汽車半導(dǎo)體封裝趨勢(shì)等分享探討。敬請(qǐng)關(guān)注!
2025年4月17日,捷捷微電披露接待調(diào)研公告,公司于4月16日接待博時(shí)基金、東北電子、東方基金、國(guó)聯(lián)基金管理、國(guó)信證券等48家機(jī)構(gòu)
總投資5100余萬(wàn)元建成后可助力龍游的半導(dǎo)體企業(yè)輕裝上陣。近日,芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房竣工驗(yàn)收。4月9日上午,在芯盟高等級(jí)功
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,英飛凌科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為功率半導(dǎo)體器件和制造功率半導(dǎo)體器件的方法的專利,公開號(hào) CN 1197
朗峰新材料納米晶粉與納米晶器件項(xiàng)目、準(zhǔn)芯半導(dǎo)體先進(jìn)6英寸硅基工業(yè)級(jí)功率半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目、大道空天高新科技(內(nèi)蒙古)有限公司無(wú)人機(jī)研發(fā)制造項(xiàng)目集中開工儀式在準(zhǔn)格爾經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)大路產(chǎn)業(yè)園舉行。
2025年5月22-24日 ,2025中國(guó)功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議 (CSPSD 2025)將于南京召開!
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