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作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報(bào)告日程正式出爐,將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室、高武半導(dǎo)體,小米通訊技術(shù),匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子,能訊高能半導(dǎo)體,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,九峰山實(shí)驗(yàn)室,江南大學(xué),中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報(bào)告。

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壓力之下,聞泰科技如何在逆境中找到破局之道,不僅穩(wěn)固了市場地位,更實(shí)現(xiàn)了業(yè)績的飛躍?

拜登政府敲定針對美國個人和公司投資中國先進(jìn)技術(shù)的限制,其中包括半導(dǎo)體、量子計(jì)算和人工智能(AI)。新規(guī)旨在防止美國資本和專業(yè)知識被用來幫助中國開發(fā)先進(jìn)科技關(guān)鍵技術(shù)。

由于先進(jìn)封裝可以大幅提高芯片良率、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度及減少芯片制造成本,已成為美日對華半導(dǎo)體競爭的最前沿。

總投資30億元!盤古半導(dǎo)體多芯片高密度板級扇出先進(jìn)封裝項(xiàng)目喜封金頂

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關(guān)產(chǎn)品的專利,公開號 C

德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)近日宣布,公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠

10月26日,總投資10億元的普創(chuàng)先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目已全面竣工投產(chǎn)。東莞日報(bào)消息稱,該項(xiàng)目由東莞普萊信智能技術(shù)有限公司籌劃,

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實(shí)現(xiàn)了1200V高耐壓,并且展現(xiàn)出了極低的界面電容和優(yōu)良的熱阻 ,極快的開關(guān)速度,同時克服了氮化鎵器件容易發(fā)生的電流崩塌問題。測試結(jié)果顯示各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平,意味著其產(chǎn)品在性能、質(zhì)量和可靠性方面具備優(yōu)勢,有更強(qiáng)的市場競爭力。

泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園位于武漢經(jīng)開綜合保稅區(qū),由經(jīng)開產(chǎn)投集團(tuán)承建,項(xiàng)目總投資約3.4億元。

杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)氧化鎵晶體生長技術(shù)重大突破

10月24日,德州儀器(TI)宣布,其位于日本會津的工廠已開始生產(chǎn)基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體。隨著會津工廠的投產(chǎn),加上德州

天眼查顯示,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司一種進(jìn)氣管的清洗方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利公布,申請公布日為2024年9月24日,申請

美國麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)在電子制造領(lǐng)域取得一項(xiàng)重要進(jìn)展:他們利用全3D打印技術(shù),制作出了不需要半導(dǎo)體材料的有源電子設(shè)備器件。

2024年10月23日,縱慧芯光官宣隨著最后一方混凝土的澆筑,3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目封頂儀式圓滿完成。據(jù)中電三公司8月消息

亨科新材料(江蘇)有限公司半導(dǎo)體超純流體配件制造項(xiàng)目開工建設(shè)。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請一項(xiàng)名為接觸孔自對準(zhǔn)的MOSFET制造方法的專利,公開號 CN 11876299

育豪半導(dǎo)體智能裝備制造項(xiàng)目是城陽區(qū)重點(diǎn)低效片區(qū)新開工開發(fā)建設(shè)項(xiàng)目

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