熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。然而,開發(fā)一種能夠充分利用金剛
包含中國(guó)一汽在內(nèi)的27家創(chuàng)新聯(lián)合體共建單位共同簽署固態(tài)電池產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體。
根據(jù)IDC最新研究顯示,隨著全球人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)需求爆發(fā)式提升,加上智能手機(jī)(Smartphone)、個(gè)人電腦(NotebookPC)
12月15日消息(南山)據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所近日公開了一項(xiàng)集成光子芯片專利,公開號(hào):CN117170016A。專利簡(jiǎn)
近日,芯片公司湃睿半導(dǎo)體宣布完成了由毅達(dá)資本領(lǐng)投的數(shù)千萬元A輪融資,此前,公司已完成了由德聯(lián)資本領(lǐng)投的Pre-A輪融資。本次融
近日,廣州青藍(lán)半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱廣州青藍(lán))IGBT投產(chǎn)儀式在廣汽零部件(廣州)產(chǎn)業(yè)園舉行。廣州青藍(lán)由廣汽部件與株洲中車
近日,蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱中科重儀)自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延
VCSEL是很有發(fā)展前景的新型光電器件,也是光通信中革命性的光發(fā)射器件。VCSEL的優(yōu)異性能已引起廣泛關(guān)注,成為國(guó)際上研究的熱點(diǎn)。
高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機(jī)械、熱學(xué)和電學(xué)性能,在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,可以支撐和固定半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)材料。其低
2024年半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)將復(fù)蘇,年增長(zhǎng)率達(dá)20%;受終端需求疲弱影響,供應(yīng)鏈去庫(kù)存進(jìn)程持續(xù),雖2023下半年已見到零星短單與急單,但仍難以逆轉(zhuǎn)上半年年減20%的表現(xiàn),預(yù)期2023年半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)將年減12%。
12月5日,廣州青藍(lán)半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱廣州青藍(lán))IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)投產(chǎn)儀式,在廣州青藍(lán)公司現(xiàn)場(chǎng)圓滿舉行。番禺
十四五以來,基于自發(fā)光顯示的微投影顯示光學(xué)系統(tǒng)成為了研究熱點(diǎn)。近日,在廈門召開的第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十
近日,河北同光半導(dǎo)體股份有限公司(簡(jiǎn)稱:同光股份)宣布完成F輪融資。本輪融資規(guī)模為15億元,由深創(chuàng)投制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)新材料基
材料的更替是現(xiàn)代科技進(jìn)步的根本推動(dòng)力。作為第三代半導(dǎo)體材料,立方氮化硼(c-BN)具有僅次于金剛石的硬度,在高溫下良好的化學(xué)
金剛石材料因具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性,被認(rèn)為是終極半導(dǎo)體材料,已成為國(guó)內(nèi)外研究熱
半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石,氧化鎵(Ga2O3)是潛力新星超寬帶隙材料,Ga2O3 是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。期間,超寬禁帶
科技日?qǐng)?bào)記者 劉垠11月28日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇在廈門召開。國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨
昨日第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇在廈門國(guó)際會(huì)議中心舉行論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)第三代
2023年11月30日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈門國(guó)際會(huì)議中心勝利閉幕。
最新新聞
- 1
IFWS 2022前瞻:超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會(huì)日程公布
- 2
眾星云集!化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)分論壇最新日程出爐——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
- 3
27位演講嘉賓公布!2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議4月26-28日成都見!
- 4
IFWS 2022前瞻:氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)分會(huì)日程出爐
- 5
年產(chǎn)4000萬只光模塊,華工科技光電子研創(chuàng)園一期投產(chǎn)
- 6
總投資30億美元,梧升半導(dǎo)體IDM項(xiàng)目簽約
- 7
第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目落戶廣西桂林
- 8
廈門科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)重磅揭曉,12位科研人員獲重大貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、創(chuàng)新杰出人才獎(jiǎng)
- 9
泉州半導(dǎo)體高新區(qū)全力推動(dòng)園區(qū)高質(zhì)量發(fā)展
最新政策
- 1
北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會(huì)關(guān)于印發(fā) 《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》的通知
- 2
財(cái)政部 稅務(wù)總局 科技部關(guān)于加大支持科技創(chuàng)新稅前扣除力度的公告
- 3
北京:發(fā)布<2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實(shí)施指南>的通知(征求意見稿)》公開征集意見的通知
- 4
順義區(qū)“十四五”時(shí)期科技創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃
- 5
國(guó)家及各省市促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化政策匯編
- 6
《順義區(qū)促進(jìn)高端制造業(yè)和先進(jìn)軟件信息業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的扶持辦法》重磅發(fā)布
- 7
專利和商標(biāo)審查“十四五”規(guī)劃
- 8
北京新政:加快推進(jìn)北京專精特新專板建設(shè),推動(dòng)更多優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目落地
- 9
順義區(qū)創(chuàng)業(yè)搖籃計(jì)劃支持政策實(shí)施辦法