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方正微電子副總裁/產品總經理彭建華發布了車規/工規碳化硅MOS 1200V全系產品碳化硅新品

格棋化合物半導體宣布將往大尺寸碳化硅布局。

三安光電通過其投資者關系平臺正式宣布，位于湖南的三安半導體基地成功實現了8英寸碳化硅（SiC）芯片生產線的投產運營。

近日，特凱斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅襯底項目正式簽約浙江仙居。

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，連城數控半導體裝備事業部/連科半導體有限公司總經理胡動力受邀將出席會議，并帶來《8/12吋碳化硅長晶爐技術進展及發展方向》的主題報告，敬請關注！

隨著全球對能源效率和可持續發展的關注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導體材料，正在快速崛起。SiC以其優異的

超芯星新一代8mΩcm低阻碳化硅襯底，擁有零TSD缺陷和極低的BPD密度（53個/cm2）的卓越晶質，將為下游客戶帶來四大核心變革

日前，三安光電在投資者互動平臺透露，湖南三安8吋碳化硅芯片產線已通線。這也意味著，湖南三安半導體正式轉型為8英寸SiC垂直整

12英寸碳化硅上下游生態仍處于前期驗證階段，尚不具備大規模產業化條件，公司將視產業鏈成熟度及客戶需求穩步推進

九峰山實驗室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品，旨在滿足產業及科研機構對具有完全自主知識產權的SiC溝槽新型器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產業發展。

據徐州日報報道，近日，徐州高新區再傳捷報江蘇集芯先進材料有限公司（以下簡稱江蘇集芯）成功出爐首枚8英寸液相法（LPE）高質量

中電科半導體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司年產100萬毫米碳化硅單晶項目啟動儀式在山西省太原市舉行。

由寬禁帶半導體國家工程研究中心主辦，InSemi Research、協創微半導體聯合承辦，碳化硅芯觀察協辦，功率半導體行業聯盟、高端芯片產業創新發展聯盟、無錫市半導體行業協會、無錫市集成電路學會協辦的“功率器件制造測試與應用大會(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國無錫盛大啟幕。

這款 200 kW 三相逆變器參考設計展示了基于 Wolfspeed 創新型的 2300 V 無基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設計簡潔性和可擴展性。該

山西天成半導體材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。

晶越半導體繼2025年上半年成功量產8英寸碳化硅襯底后，公司持續投入并不斷加大研發力度，并在熱場設計、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯電子在浙江義烏晶圓廠(Yfab)隆重舉辦主題為創芯八載，無限熱愛的8

寧夏創盛年產60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目開工建設

近年來，全球半導體產業迎來爆發式增長，中國半導體市場更是呈現資金加速涌入、產能快速擴張、企業積極出海的發展態勢，半導體設

近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商瞻芯電子開發的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET產品，憑借優秀的性能