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方正微電子副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOS 1200V全系產(chǎn)品碳化硅新品

格棋化合物半導(dǎo)體宣布將往大尺寸碳化硅布局。

三安光電通過其投資者關(guān)系平臺正式宣布，位于湖南的三安半導(dǎo)體基地成功實現(xiàn)了8英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線的投產(chǎn)運營。

近日，特凱斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅襯底項目正式簽約浙江仙居。

9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，連城數(shù)控半導(dǎo)體裝備事業(yè)部/連科半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理胡動力受邀將出席會議，并帶來《8/12吋碳化硅長晶爐技術(shù)進展及發(fā)展方向》的主題報告，敬請關(guān)注！

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的

超芯星新一代8mΩcm低阻碳化硅襯底，擁有零TSD缺陷和極低的BPD密度（53個/cm2）的卓越晶質(zhì)，將為下游客戶帶來四大核心變革

日前，三安光電在投資者互動平臺透露，湖南三安8吋碳化硅芯片產(chǎn)線已通線。這也意味著，湖南三安半導(dǎo)體正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整

12英寸碳化硅上下游生態(tài)仍處于前期驗證階段，尚不具備大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化條件，公司將視產(chǎn)業(yè)鏈成熟度及客戶需求穩(wěn)步推進

九峰山實驗室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品，旨在滿足產(chǎn)業(yè)及科研機構(gòu)對具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測試、分析及應(yīng)用探索需求，進一步推動下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

據(jù)徐州日報報道，近日，徐州高新區(qū)再傳捷報江蘇集芯先進材料有限公司（以下簡稱江蘇集芯）成功出爐首枚8英寸液相法（LPE）高質(zhì)量

中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目啟動儀式在山西省太原市舉行。

由寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心主辦，InSemi Research、協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體聯(lián)合承辦，碳化硅芯觀察協(xié)辦，功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟、無錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、無錫市集成電路學(xué)會協(xié)辦的“功率器件制造測試與應(yīng)用大會(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國無錫盛大啟幕。

這款 200 kW 三相逆變器參考設(shè)計展示了基于 Wolfspeed 創(chuàng)新型的 2300 V 無基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設(shè)計簡潔性和可擴展性。該

山西天成半導(dǎo)體材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。

晶越半導(dǎo)體繼2025年上半年成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場設(shè)計、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯電子在浙江義烏晶圓廠(Yfab)隆重舉辦主題為創(chuàng)芯八載，無限熱愛的8

寧夏創(chuàng)盛年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目開工建設(shè)

近年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長，中國半導(dǎo)體市場更是呈現(xiàn)資金加速涌入、產(chǎn)能快速擴張、企業(yè)積極出海的發(fā)展態(tài)勢，半導(dǎo)體設(shè)

近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能