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國家發(fā)展改革委、國家能源局近日印發(fā)《關(guān)于加快推進充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè) 更好支持新能源汽車下鄉(xiāng)和鄉(xiāng)村振興的實施意見》，提出創(chuàng)新

5月16日，SEMI-e第五屆深圳國際半導體技術(shù)暨應用展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）重磅啟幕。來自全國各地的半導體專業(yè)采購

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，I

5月9日至11日，由EDA開放創(chuàng)新合作機制（EDA2）和中國電子學會電子設(shè)計自動化專委會共同主辦的中國首個EDA領(lǐng)域國際學術(shù)會議I

2023年經(jīng)濟復蘇力度逐月加快，消費增速回升，制造業(yè)投資、基礎(chǔ)設(shè)施投資均保持較高增速，經(jīng)濟發(fā)展逐步向高端制造轉(zhuǎn)型，伴隨著在新

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的

半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)是國家現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系的樞紐之一，隨著科技的不斷發(fā)展和進步，半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為世界經(jīng)濟發(fā)展的重要支柱，

近日，2023中國（寧波）第四屆第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在寧波國際會議中心舉行，本次論壇通過深入研討半導體技術(shù)應用發(fā)展趨勢，

自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電

隨著新能源汽車的普及及5G的商用，量產(chǎn)新能源車型中搭載碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵，催生了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從

蘇州高視半導體技術(shù)有限公司邀您參加2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術(shù)論壇。2023年5月5-7日，2023碳化硅關(guān)鍵裝備、

德智新材邀您參加2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術(shù)論壇。2023年5月5-7日，2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導

2023年5月5-7日，2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術(shù)論壇將在中國長沙圣爵菲斯大酒店舉辦?？朴寻雽w誠邀您蒞臨展位

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集微網(wǎng)報道 4月19日-21日，2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)大會在武漢光谷舉行。在開幕式上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)

EDA貫穿集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)設(shè)計、制造、封測等各個環(huán)節(jié)，在芯片產(chǎn)業(yè)中不可或缺，不同應用場景下器件結(jié)構(gòu)性、設(shè)計流程、仿真驗證

SiC、GaN功率電子器件擁有的優(yōu)異特性，可以支撐新能源汽車、智慧能源、軌道交通、智能制造等新基建優(yōu)勢應用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需

240W刷新手機快充最高功率密度2月9日，realme GT Neo5發(fā)布，同時量產(chǎn)首發(fā)搭載240W閃充技術(shù)。該充電器尺寸僅57 x 58 x 30 mm (99

據(jù)工信微報消息，中共中央政治局常委、國務院總理李強在北京市調(diào)研獨角獸企業(yè)發(fā)展情況時表示，智能網(wǎng)聯(lián)汽車作為大號終端，融合多

光集成技術(shù)是未來光器件的主流發(fā)展方向，Ⅲ-Ⅴ族材料和硅基材料被業(yè)界普遍看作未來光集成技術(shù)的兩大陣營，將改變光器件的設(shè)計和