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蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)提出并研制了一種基于氮化鎵肖特基二極管(GaN SBD)的無(wú)源太赫茲相控陣芯片原型，工作頻率為0.32 THz，陣列規(guī)模為32 × 25。本項(xiàng)研究工作為6G“通感一體化”的氮化鎵基太赫茲器件解決方案提供了新思路。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱盛美上海）（科創(chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級(jí)封裝應(yīng)

清華大學(xué)化學(xué)系許華平教授團(tuán)隊(duì)在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進(jìn)展

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2納米制程產(chǎn)能規(guī)模較3納米再提升，竹科寶山F20廠2nm月產(chǎn)能現(xiàn)已提升至3萬(wàn)片，高雄F22廠則為6000片。預(yù)計(jì)至2025

歐洲芯片巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，STMPA.PA）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四宣布，將以現(xiàn)金形式收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，NXPI.O）旗下傳感器業(yè)務(wù)部門

姜堰高新區(qū)舉行項(xiàng)目簽約儀式，現(xiàn)場(chǎng)成功簽約總投資10億元的成都芯盟微半導(dǎo)體芯片封裝項(xiàng)目和總投資5億元的半導(dǎo)體真空泵及配件項(xiàng)目。

8月10日-13日，第六屆“全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議”將于大連舉辦。

近日，河北工業(yè)大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)楚春雙副教授、張勇輝教授、張紫輝教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所閆建昌研究員團(tuán)隊(duì)，在深紫外發(fā)光二極管（DUV LED）效率提升方面取得重要進(jìn)展。他們創(chuàng)新性地提出并實(shí)現(xiàn)了“光子輔助空穴再生器”結(jié)構(gòu)，成功將原本無(wú)法逸出芯片的紫外光子轉(zhuǎn)化為可利用的空穴。

山西天成半導(dǎo)體材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。

近日，我國(guó)牽頭制定的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)《特殊用途功能性填料 聚合物用納米金剛石》近日正式發(fā)布。該標(biāo)準(zhǔn)的成功發(fā)布，標(biāo)志著我國(guó)納米級(jí)金

天眼查顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司晶圓倒角裝置和晶圓倒角方法專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月14日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN1

據(jù)報(bào)道，7月21日，八億時(shí)空在浙江上虞電子材料基地舉辦高端半導(dǎo)體光刻膠樹脂產(chǎn)線建成儀式。由八億時(shí)空投建的國(guó)內(nèi)首條百噸級(jí)半導(dǎo)

美國(guó)加州時(shí)間2025年7月22日，SEMI在《年中總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》（Mid-Year Total Semiconductor Equipment ForecastOEM Perspe

中科無(wú)線半導(dǎo)體發(fā)布氮化鎵（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個(gè)型號(hào)，通過(guò)ASIC芯片+Ga

晶越半導(dǎo)體繼2025年上半年成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以及

日前，江蘇省工信廳對(duì)外公示 2025 年度江蘇省 三首兩新 擬認(rèn)定技術(shù)產(chǎn)品名單，全省共 1846 項(xiàng)產(chǎn)品上榜。其中我司申報(bào)的技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)

國(guó)泰海通證券發(fā)布研究報(bào)告稱，伴隨工業(yè)及汽車下游開啟補(bǔ)庫(kù)，BCD Analog下游需求有望增長(zhǎng)，二季度及下半年晶圓代工產(chǎn)能利用率有望

氮化鎵（GaN）基電子器件具有高頻、高效、耐高溫及抗輻射等特性，是下一代高效電力電子與射頻電子系統(tǒng)的核心支撐器件，已在5G/6G

日本芯片制造商Rapidus斥資340億美元的2nm芯片項(xiàng)目已宣布啟動(dòng)測(cè)試生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2027年正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

7月21日，據(jù)陜西新聞聯(lián)播報(bào)道，陜西電子芯業(yè)時(shí)代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線目前已進(jìn)入沖刺通線的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，計(jì)劃九月份開始