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蜂巢能源（SVOLT）將在2025年1月前結束蜂巢能源科技（歐洲）和德國子公司的運營，裁員人數不詳。

遠山半導體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實現了1200V高耐壓，并且展現出了極低的界面電容和優良的熱阻 ，極快的開關速度，同時克服了氮化鎵器件容易發生的電流崩塌問題。測試結果顯示各項性能指標均達到行業領先水平，意味著其產品在性能、質量和可靠性方面具備優勢，有更強的市場競爭力。

泛半導體產業園位于武漢經開綜合保稅區，由經開產投集團承建，項目總投資約3.4億元。

杭州鎵仁半導體實現氧化鎵晶體生長技術重大突破

2024年11月17日，STR China Seminar 2024--仿真模擬研討會將于蘇州市國際博覽中心G館107室。

10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。隨著會津工廠的投產，加上德州

10月22日上午，華瑞微滁州總部召開了一期B擴產項目啟動會，公司董事長劉海波主持會議，分管領導及各部門負責人出席了會議。董事

天眼查顯示，華海清科股份有限公司驅動機構的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請

天眼查顯示，北京北方華創微電子裝備有限公司一種進氣管的清洗方法及半導體工藝設備專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請

10月21日下午，2024創新海門共贏未來海門新一代信息技術產業投資促進功能區揭牌儀式在謇公湖科創中心成功舉辦。2024年4月，海門

美國麻省理工學院團隊在電子制造領域取得一項重要進展：他們利用全3D打印技術，制作出了不需要半導體材料的有源電子設備器件。

10月24日，2024湖北人工智能產業發展大會舉行，光谷人工智能產業園正式揭牌，9家企業與武漢人工智能計算中心及武漢超算中心簽約

國新辦10月23日下午舉行新聞發布會，介紹2024年前三季度工業和信息化發展情況。工業和信息化部新聞發言人、總工程師趙志國表示，

10月24日，2024湖北人工智能產業發展大會舉行，光谷人工智能產業園正式揭牌，9家企業與武漢人工智能計算中心及武漢超算中心簽約

10月23日，落戶火炬高新區的永泰光電激光雷達模組研發生產基地項目取得施工許可證，而就在前一天的10月22日，該項目用地成功摘牌

2024年10月23日，縱慧芯光官宣隨著最后一方混凝土的澆筑，3英寸化合物半導體芯片制造項目封頂儀式圓滿完成。據中電三公司8月消息

如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統

亨科新材料（江蘇）有限公司半導體超純流體配件制造項目開工建設。

國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名為接觸孔自對準的MOSFET制造方法的專利，公開號 CN 11876299

國家知識產權局信息顯示，廣東氣派科技有限公司申請一項名為一種 MOSFET 的封裝結構的專利，公開號 CN 118763060 A，申請日期為