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9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，南京大學教授修向前受邀將出席會議，并帶來《氮化鎵襯底生長工藝及設備技術研究》的主題報告，敬請關注！

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市。該系列憑借更小尺寸、更快開關速度、更高效率的顯著優勢，在關鍵性能指標上實現突破性進展，為電源系統設計樹立新標桿。

高性能氮化鎵（GaN）金屬氧化物半導體（MOS）晶體管離不開具有低界面態和低漏電流的高質量MOS結構。然而，與SiO2/Si體系相比，氧

由蘇州晶湛半導體有限公司牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，

山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效

隨著無線通信技術的發展，太赫茲波因超寬帶、高定向性和高分辨率等優勢，成為6G通信的重要頻譜資源。然而，頻率升高帶來的路徑損

8月1日，英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄，中國氮化鎵龍頭企業英諾賽科上榜，將為英偉達Kyber機架系統提供全鏈路氮化

球領先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化鎵）制造供應商英諾賽科與聯合汽車電子宣布成立聯合實驗室

汶上縣舉行氮化鎵半導體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。

蘇州納米所秦華團隊提出并研制了一種基于氮化鎵肖特基二極管(GaN SBD)的無源太赫茲相控陣芯片原型，工作頻率為0.32 THz，陣列規模為32 × 25。本項研究工作為6G“通感一體化”的氮化鎵基太赫茲器件解決方案提供了新思路。

中科無線半導體發布氮化鎵（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個型號，通過ASIC芯片+Ga

氮化鎵（GaN）基電子器件具有高頻、高效、耐高溫及抗輻射等特性，是下一代高效電力電子與射頻電子系統的核心支撐器件，已在5G/6G

依托中國科學院蘇州納米所建設的半導體顯示材料與芯片重點實驗室與蘇州實驗室合作，近日研制出GaN基光子晶體面發射激光器，并實現了室溫電注入激射。

近日，一項關于范德華外延高質量超薄氮化物半導體材料的研究成果發表于《Advanced Materials》，該研究由武漢大學何軍教授團隊與西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授合作完成，武漢大學文耀副研究員與西安電子科技大學寧靜教授與為論文共同第一作者，何軍教授、張進成教授為論文共同通訊作者。

國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基半導體激光器元件的專利，公開號CN120262170A，申請日

根據納微半導體 Navitas 提供的文件，臺積電計劃于 2027 年 7 月終止氮化鎵 (GaN) 晶圓的生產。而日本半導體制造商 ROHM 羅姆也

近日，由華東理工大學牽頭的國家重點研發計劃 大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應釜設計制造技術項目啟動暨實施方案論證會在

隨著GaN半導體需求的持續增長，英飛凌正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位

近日，有消息稱臺積電計劃淡出氮化鎵市場，晶圓五廠將于2027年7月1日后轉型為先進封裝使用。氮化鎵廠納微半導體也宣布旗下650V元

6月25日，雷電微力在深交所互動易平臺回復投資者提問時表示，公司研制低成本低剖面氮化鎵組件，部分產品已量產。第三代半導體氮