6月18日,按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(CASAS)相關(guān)管理辦法,經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由合肥工業(yè)大學(xué)
在近期日本熊本市舉辦的第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,ISPSD)上,南京大學(xué)江蘇省第三代半導(dǎo)體與高能效器件重點實驗室張榮和陸海教授研究團(tuán)隊入選了兩篇氮化鎵(GaN)功率器件輻照效應(yīng)研究論文,向國際同行展示了宇航級GaN功率器件研究最新成果。
國科新能創(chuàng)投Family 成員企業(yè)——安徽矽磊電子科技有限公司接近感應(yīng)芯片和模組完成內(nèi)部測試并宣布投產(chǎn),標(biāo)志著該公司在產(chǎn)品矩陣上實現(xiàn)新的進(jìn)展,同時凸顯了在國產(chǎn)射頻芯片領(lǐng)域的技術(shù)實力。
杭州松下馬達(dá)有限公司舉行新工廠開業(yè)慶典。
美國參議院的稅收法案草案要求暫時增加對半導(dǎo)體制造商的投資抵免,加強(qiáng)對芯片制造商在美國建廠的補(bǔ)貼。
6月10日,位于重慶萬州的威科賽樂微電子股份有限公司化合物半導(dǎo)體芯片封裝模組生產(chǎn)線正式投入量產(chǎn),成功打通了從關(guān)鍵原材料提取
隨著半導(dǎo)體器件向更小尺寸、更高性能發(fā)展,表界面原子級結(jié)構(gòu)對器件性能的影響愈發(fā)顯著。表界面缺陷不僅降低載流子遷移率、增加電
在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國際會議(IEEE ISPSD 2025)上,浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實驗室(PEDL)取得了令人矚目的成績。團(tuán)隊共有四篇論文被選為大會全體報告(Oral Session)。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一,充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實力。
天津大學(xué)精密測試技術(shù)及儀器全國重點實驗室、精儀學(xué)院感知科學(xué)與工程系黃顯教授團(tuán)隊打破了微型LED晶圓測試瓶頸,實現(xiàn)了微型LED晶圓高通量無損測試,研究成果于13日在國際學(xué)術(shù)期刊《自然-電子學(xué)》刊發(fā)。
浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實驗室(PEDL)取得了令人矚目的成績。團(tuán)隊共有四篇論文被選為大會全體報告(Oral Session)。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一,充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實力。
世界半導(dǎo)體博覽會是中國半導(dǎo)體領(lǐng)域極具影響力和標(biāo)志性的行業(yè)龍頭展會,也是榮獲UFI認(rèn)證的國際品牌展會,六屆以來匯集了全球12個
中科海芯RISC-V芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目落地?zé)o錫市錫山區(qū)工業(yè)芯谷產(chǎn)業(yè)園簽約儀式在北京順利舉行。
在山東大學(xué),有位“破局者”正帶領(lǐng)他的團(tuán)隊向這一卡脖子技術(shù)發(fā)起沖鋒——徐現(xiàn)剛,晶體材料全國重點實驗室主任,山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長,二十年如一日地在微觀世界里,鍛造著中國半導(dǎo)體的未來。
基本半導(dǎo)體(中山)有限公司(以下簡稱“中山基本”)成功競得火炬高新區(qū)民眾街道深中合作區(qū)22畝地塊,這標(biāo)志著中山首個碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項目正式落戶火炬高新區(qū)。
日前,柔性光子學(xué)院士專家國際交流活動暨天津工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院成立儀式在天津工業(yè)大學(xué)舉行,旨在推動產(chǎn)學(xué)研用深度融合,打造
2025年5月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體)在氧化鎵大尺寸晶體生長與襯底加工技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展,基于自主
第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,ISPSD)在日本熊本市(Kumamoto)舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025,并在現(xiàn)場也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友,同時也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向,以下簡單回顧一下熱點走向!
美國晶圓大廠格芯(GlobalFoundries)將繼續(xù)擴(kuò)大在德國的投資。
據(jù)報道,日本芯片制造商瑞薩電子表示,與Wolfspeed之間持續(xù)存在的問題不會影響其在印度的OSAT(半導(dǎo)體封測)合資項目。涉及Wolfs
6月9日上午,華容區(qū)人民政府與思亞諾(武漢)存儲技術(shù)有限公司在華容區(qū)司法大樓舉行芯片封裝項目簽約儀式。區(qū)委副書記、區(qū)長龔駿
最新新聞
- 1
IFWS 2022前瞻:超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會日程公布
- 2
眾星云集!化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)分論壇最新日程出爐——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
- 3
27位演講嘉賓公布!2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議4月26-28日成都見!
- 4
IFWS 2022前瞻:氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會日程出爐
- 5
年產(chǎn)4000萬只光模塊,華工科技光電子研創(chuàng)園一期投產(chǎn)
- 6
總投資30億美元,梧升半導(dǎo)體IDM項目簽約
- 7
第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林
- 8
廈門科學(xué)技術(shù)獎重磅揭曉,12位科研人員獲重大貢獻(xiàn)獎、創(chuàng)新杰出人才獎
- 9
泉州半導(dǎo)體高新區(qū)全力推動園區(qū)高質(zhì)量發(fā)展
最新政策
- 1
北京市科學(xué)技術(shù)委員會、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會關(guān)于印發(fā) 《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》的通知
- 2
財政部 稅務(wù)總局 科技部關(guān)于加大支持科技創(chuàng)新稅前扣除力度的公告
- 3
北京:發(fā)布<2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南>的通知(征求意見稿)》公開征集意見的通知
- 4
順義區(qū)“十四五”時期科技創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃
- 5
國家及各省市促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化政策匯編
- 6
《順義區(qū)促進(jìn)高端制造業(yè)和先進(jìn)軟件信息業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的扶持辦法》重磅發(fā)布
- 7
專利和商標(biāo)審查“十四五”規(guī)劃
- 8
北京新政:加快推進(jìn)北京專精特新專板建設(shè),推動更多優(yōu)質(zhì)項目落地
- 9
順義區(qū)創(chuàng)業(yè)搖籃計劃支持政策實施辦法