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半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，氧化鎵（Ga2O3）是潛力新星超寬帶隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也

高效高可靠的量子點(diǎn)白光LED封裝和熱管理對(duì)于LED照明應(yīng)用至關(guān)重要，直接影響著LED的性能、穩(wěn)定性和壽命。關(guān)于高效高可靠量子點(diǎn)白

未來(lái)顯示產(chǎn)品形態(tài)多樣，功能要求嚴(yán)格，具有高度集成潛力的Mini/Micro LED顯示技術(shù)脫穎而出。MicroLED可用作光電探測(cè)器來(lái)接收外部

Micro-LED技術(shù)應(yīng)用已從大屏顯示擴(kuò)展到微顯示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩飽和度、響應(yīng)速度快、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，已

近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。期間，超寬禁帶

近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵課題組提出了一種Ga2O3光電探測(cè)器的交變柵壓調(diào)制方案，為光電探測(cè)器的研究提供了新的思路。日盲光

新華社北京12月4日電關(guān)于國(guó)家卓越工程師和國(guó)家卓越工程師團(tuán)隊(duì)擬表彰對(duì)象的公示為表彰工程技術(shù)領(lǐng)域先進(jìn)典型，激發(fā)引領(lǐng)廣大工程技

11月28日，位于海口市海南航芯高科技產(chǎn)業(yè)園的海南航芯項(xiàng)目首期竣工投產(chǎn)。這是海南發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)破局性、引領(lǐng)性的引擎項(xiàng)目，標(biāo)

科技日?qǐng)?bào)記者 劉垠11月28日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇在廈門(mén)召開(kāi)。國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)家咨

昨日第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心舉行論壇由廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)大學(xué)第三代

2023年11月30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心勝利閉幕。

2023年11月30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心勝利閉幕。

近日,寧波奧拉半導(dǎo)體股份有限公司(下稱(chēng)奧拉股份)宣布通過(guò)了國(guó)際知名第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)SGS-TüV(下稱(chēng)SGS)的ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)各項(xiàng)汽

2023年11月28日，在第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇開(kāi)幕式上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟正式

作為新一代綠色光源，半導(dǎo)體照明的出現(xiàn)開(kāi)啟了人類(lèi)照明史上的第三次革命。藍(lán)光LED技術(shù)的發(fā)展使得白光LED照明成為可能，也讓照明應(yīng)

在現(xiàn)代化科技和能源管理理念支持下建立的全新電力系統(tǒng)，包括智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電技術(shù)、電動(dòng)車(chē)充電技術(shù)等方面的創(chuàng)新。與傳統(tǒng)電力

化合物半導(dǎo)體在高功率、高頻率、光電子學(xué)和光伏等領(lǐng)域的應(yīng)用表現(xiàn)出色，推動(dòng)了許多先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展。近年來(lái)在在光電子學(xué)、GaN功率

2023年11月28日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心盛大開(kāi)幕。

寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)快速崛起，未來(lái)10年將對(duì)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。寬禁帶半導(dǎo)體是全球高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵領(lǐng)域之

氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga